UCSB團隊設計了兼容CMOS的石墨烯互連

來自圣巴巴拉加利福尼亞大學的研究人員將于下個月在世界著名的半導體技術會議——IEEE國際電子器件會議（12月1日至5日在舊金山）發表一篇關于CMOS兼容石墨烯互連的論文。

研究小組已經表明，將石墨烯集成到互連方案中有可能提高下一代CMOS集成電路的性能并限制功耗，因為石墨烯具有高導電性，不易發生電遷移。

實際應用的主要挑戰之一是形成石墨烯（800-1000℃）所需的高溫，這會損壞在生產線前端已經制造的有源器件。

加利福尼亞大學圣巴巴拉分校的研究人員將報告一種新的方法，其中低溫（300℃）壓力輔助固相擴散過程能夠生長和摻雜多層CMOS兼容石墨烯納米帶。

這些納米帶的接觸電阻（<20Ω-μm）明顯低于銅互連，器件性能提高了約4倍，在100℃下，在100 mA/cm2下的電遷移可以忽略不計。

這些結果為開發硅基CMOS集成電路中石墨烯獨特的電學特性提供了一種實用的、行業兼容的方法。